【多选题】
控制平面RRC协议数据的加解密和完整性保护功能,在LTE中交由( )层完成。
A. PDCP
B. PHY
C. MAC
D. RLC
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答案
A
解析
暂无解析
相关试题
【多选题】
单站测试时如何选择测试点。( )
A. 选择目标小区信号强度较强且其他小区信号相对较弱的位置
B. 选择在小区天线主发射方向距离基站100米左右,且与基站间有视距传输的位置
C. 业务热点区域
D. 测试点位置接近小区中心
【多选题】
Diameter协议主要承载哪些网元间的传输?( )
A. I-CSCF/S-CSCF-MGCF
B. 三合一HSS-IMS AS
C. PCRF-SAE GW
D. PCRF-VoLTE SBC
【多选题】
关于PRACH的短序列中的前导码格式包括下列哪几种?( )
A. A1, A2, A3, B1, B2, B3, B4, C1, C2
B. A1, A2, A3, B1, B2, B3, B4
C. A1, A2, A3, B1, B2, B3, B4, C0, C2
D. ?A1, A2, A3, B1, B2, B3, C0, C2
【多选题】
在NR下,满足如下哪几个条件之后,UE才会验证接收到的PDCCH是否用于SPS的激活和释放?( )
A. NDI域为1
B. NDI域为0
C. PDCCH的CRC校验位使用CS-RNTI进行加扰
D. PDCCH的CRC校验位使用SPS C-RNTI进行加扰
【多选题】
以下哪种SSB必须在SS raster 上 ( )。
A. 用于测量的SSB
B. 用于PScell接入的SSB
C. 用于NR Scell接入的SSB
D. 用于NR Pcell接入的SSB
【多选题】
关于无线传播损耗,以下哪些说法是不正确的( )。
A. 快衰落损耗:多径效应,由多径传播引起,表现为正态分布。一般通过功控.均衡等信号处理方式解决。
B. 其他损耗,如穿透损耗等。一般通过预留损耗余量降低对通信质量的影响。
C. 空间传播损耗:随距离衰减的电播传播损耗,为固定斜率的衰减。
D. 阴影衰落损耗(慢衰落损耗):阴影效应,由地形地物引起,表现为高斯分布。
【多选题】
下面关于BWP的描述正确的是?( ? ?)
A. BWP可以支持不同的numerology
B. 在某一个时刻,最多只能有一个激活的DLBWP和UL BWP
C. BWP可以支持更低的UE带宽能力
D. BWP的灵活调度可以大大降低功耗
【多选题】
下列关于天线的描述不正确的是: ( )
A. 天线把电磁波转换为电信号
B. 天线发射端的信号功率比天线输入端的信号功率大
C. 天线把电信号转换成电磁波
D. 天线是双向器件
【多选题】
什么情况下,UE可能会执行到相同优先级的E-UTRAN频点的重选?( )
A. 满足小区重选准则
B. UE在当前服务小区驻留时间超过5s
C. 在TreselectionRAT时间间隔内,新小区排队等级高于服务小区
D. UE在当前服务小区驻留时间超过1s
【多选题】
即时通信业务测试时,如何定义消息发送接收时延?( )
A. 发送到接收端收到消息的时间;
B. 服务器到接收端的时间;
C. 发送到服务器端收到消息的时间;
D. 基站到接受端的时间
【多选题】
在3GPPEPC核心网中,以下哪三项是P-GW的功能?( )
A. 为终端分配IP地址
B. 将下行数据通告发送到MME
C. 为处于Idle状态的终端缓存下行数据
D. 合法监听
E. 基于用户的包过滤
推荐试题
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
51两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo为 ___
A. -200mv;
B. -250mV;
C. 10V;
D. 100V