【单选题】
UE最多监听多少个不同的DCI Format Size Per Slot? ( )
A. 3
B. 5
C. 2
D. 4
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答案
D
解析
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相关试题
【单选题】
对于1个服务小区,基站可以通过专用RRC信令给UE配置多个DL BWP和多个UL BWP,最多各配( )个。
A. 4
B. 8
C. 2
D. 6
【单选题】
( )是一种基于码域叠加的新型多址技术,它将低密度码扩频和高维QAM调制技术相结合,通过共轭.置换.相位旋转等操作选出具有最佳性能的码本集合,不同用户采用不同的码本进行信息传输。
A. PDMA
B. NOMA
C. SCMA
D. MUSA
【单选题】
以下不属于5G关键性能指标的是( )。
A. 连接速度10gbps
B. 2ms端到端时延
C. 1ms端到端时延
D. 100万连接每平方公里
【单选题】
以下哪种DCI?Format必须与Format?1-0 size相等?( )
A. DCIformat 0-1
B. DCIformat 2-1
C. DCIformat 0-0
D. DCIformat 1-1
【单选题】
当TRS配置的带宽超过其关联BWP的带宽时,UE应该( )。
A. 在TRS配置的带宽范围内接收TRS
B. 在小区载波的带宽范围内接收TRS
C. 在其关联的BWP带宽范围内接收TRS
D. 在UE支持的最小带宽范围内接收TRS
【单选题】
下列选项中关于OFDM特点有误的是( )。
A. 可变带宽的传输资源可以在频域内自由调度,分配给不同的用户
B. 能够降低峰均比
C. 可以在不改变系统基本参数或设备设计的情况下使用不同的频谱带宽。频谱利用率高。就是一个能当两个用
D. 为软频率复用和小区间的干扰协调提供便利
【单选题】
当SRB3未建立时,SCG的测量结果,UE通过下面哪条消息上报给网络?( )
A. RRCConnectionReconfigurationComplete
B. ULInformationTransferMRDC
C. Measurement Report
D. RRCReconfigurationComplete
【单选题】
下列选项中哪一个是DFT-s-OFDM特有的调制方式?( )
A. BPSK
B. 16QAM
C. π/2-BPSK
D. QPSK
【单选题】
对于CDMA多址技术,下列哪个说法是错误的( )。
A. 采用CDMA多址技术具有较好的保密通信能力
B. 采用CDMA多址技术具有较好的抑制远近效应能力
C. 采用CDMA多址技术具有较强的抗干扰能力
D. 采用CDMA多址技术具有较灵活的多址连接
【单选题】
CDMA系统使用( )来区分不同的基站及同一基站的不同扇区。
A. PN码
B. Walsh码
C. 频率
D. 时隙
【单选题】
在CDMA系统中,假设Initial Power = 0dB.Nom power = 3dB.Power Step = 6dB.Num Step = 6。为了发起试呼,手机以6dBm的功率发送了第一个probe。在这种情况下,手机发送第四个probe所需的功率是( )。
A. 18dbm
B. 24dbm
C. 15dbm
D. 23dbm
【单选题】
慢衰落一般遵从( )分布。
A. 对数正态
B. Rician(莱斯)
C. Rayleigh (瑞利)
D. ??直线
【单选题】
若天馈线的驻波比是 1.2,对应的回波损耗是 ( )dB。
A. 21
B. 20
C. 19
D. 22
【单选题】
以下哪些不属于分集技术?( )
A. 频率分集
B. 时间分集
C. 空间分集
D. 物理分集
【单选题】
40W功率折算到 dB域为( ) dBm。
A. 40
B. 36
C. 30
D. 46
【单选题】
5G将采用NFV+SDN 架构。( )
A. 正确
B. 错误
【单选题】
SDN 构架中的核心组件是 ( )。
A. 存储器
B. 服务器
C. 控制器
D. 运算器
【单选题】
快衰落的特性是( )。
A. 慢速
B. 浅度
C. 瑞利分布
D. 有线通信
【单选题】
为了加强对移动基站近区的覆盖并尽可能减少死区同时尽量减少对其它相邻基站的干扰天线应避免( )架设同时应采用下倾的方式。
A. 水平
B. 过低
C. 过高
D. 垂直
【单选题】
以下哪种属于异系统切换?( )
A. B1事件
B. A3事件
C. A1事件
D. A5事件
【单选题】
IMS HSS中存储着AS可以访问的数据,这些数据不包括( )。
A. IMPU或PSI的用户状态(IMSUserState)
B. 公有用户标识(IMPU或PSI)(IMSPublicIdentity)
C. 透明数据(RepositoryData)
D. 鉴权数据
【单选题】
MME的功能不包括:( )。
A. 非接入层信令的加密与完整性保护
B. 接入层信令的加密与完整性保护
C. 空闲状态的移动性管理
D. 寻呼消息分发
【单选题】
以下哪个节点负责UE的移动性管理?( )
A. MME
B. P-GW
C. S-GW
D. eNodeB
【单选题】
以下哪种场景可以判断为切换失败( )。
A. UE侧没有收到eNB发出的切换命令,不停上报测量报告后重建
B. 源侧下发切换命令后,目标侧收到了对应的UE重配完成消息
C. 源侧向目标侧发起切换请求后没有收到响应信息
D. eNB侧收到测量报告后,切换判决失败,向目标侧发起切换请求
【单选题】
定时器T311的作用是( )
A. UE等待RRC连接响应的时间
B. UE监测到无线链路失败后转入RRC_IDLE状态的等待时间
C. UE监测无线链路失败的等待时间
D. UE等待RRC重建响应的时间
【单选题】
LTE/SAE为UE的位置管理提出( )。
A. LocationArea
B. RoutingArea
C. TrackingArea
D. MobilityArea
【单选题】
寻呼由网络向什么状态下的UE发起( )。
A. 空闲态或连接态都可以
B. 仅连接态
C. 仅空闲态
D. 以上说法都不对
【单选题】
单站验证测试过程中GPS的作用( )
A. 寻找待测站点位置
B. 记录测试轨迹
C. 定位站点信息
D. 定位基站的经纬度
【单选题】
哪些不是LTE基本参数要求?( )
A. FDD与TDD参数统一
B. 对延迟要求低
C. 时延长度为0.5ms
D. 对延迟要求高
【单选题】
LTE的UE的小区重选的S法则要求小区满足:( )。
A. A和B同时满足
B. Squal>0dB
C. Srxlev>0dB
D. A或B满足一项
【单选题】
VoLTE语音mos测试打分算法为( )
A. AMR-NB
B. POLQA
C. PESQ
D. AMR-WB
【单选题】
适用于UESINR低且UE移动速度高的典型场景是:( )
A. TM4
B. TM3
C. TM2
D. TM6
【单选题】
NR中MIB中不包含以下字段?( )
A. subCarrierSpacing
B. PLMN Identity
C. pdcch-ConfigSIB1
D. SFN
【单选题】
电梯覆盖小区规划中,一般建议将电梯覆盖与( )层的小区划分为同一小区,电梯内部不设置切换区,减少切换,保证网络KPI。
A. 最高层
B. 负一层
C. 中间层
D. 一层
【单选题】
传输MIB-NB消息的是( )。
A. 子帧#2
B. 子帧#0
C. 子帧#3
D. 子帧#1
【单选题】
室分系统设计中,有PS,T,ANT等常用英文缩写,其中T代表( )。
A. 馈线
B. 天线
C. 功分器
D. 耦合器
【单选题】
I-CSCF在用户注册,注销时,I-CSCF向HSS查询为用户服务的S-CSCF时,采用的是下列哪一组消息( )
A. UDR/UDA
B. SAR/SAA
C. UAR/UAA
D. MAR/MAA
【单选题】
在开机附着过程中RRC重配消息丢失或者没收到RRC重配完成消息或者eNB内部配置UE的安全参数等失败,那么eNB会通知( )初始上下文建立失败,然后( )发送UE上下文释放命令,然后eNodeB给( )发送RRCConnectionRelease。
A. UE,eNodeB,UE
B. MME,eNodeB,UE
C. MME,MME,UE
D. UE,MME,MME
【单选题】
哪些不属于LTE进行覆盖和质量评估参数?( )
A. CPI
B. RSRQ
C. RSRP
D. SINR
【单选题】
LTE采用的切换方式为( )。
A. 终端辅助的前向切换
B. 网络辅助的后向切换
C. 终端辅助的后向切换
D. 网络辅助的前向切换
推荐试题
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态;
B. 完好状态;
C. 断路状态;
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在___状态。
A. 正偏
B. 反偏 E、正向导通 F、截止
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
A. 12V
B. 5V
C. 9V
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
A. 5v
B. 9v
C. 12v
【单选题】
9一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时,二极管才导通。
A. 击穿电压;
B. 死区;
C. 饱和。
【单选题】
11当温度升高时,二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大;
B. 减小;
C. 不变;
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
A. 大
B. 小
C. 相等
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
A. -12v
B. -9v
C. -6V
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问___灯最亮。
A. A灯
B. B灯
C. C灯
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___,从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻;
B. 电容;
C. 三极管;
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为___
A. 放大状态;
B. 截止状态;
C. 饱和状态;
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流,又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___;
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC ___uB。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uB___uE 。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为,,,说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强,一般引入___负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用___负反馈 i=i1+i2
A. 电流
B. 电压
C. 并联
D. 串联
【单选题】
42为了稳定输出电流,采用___负反馈。
A. 电流
B. 电压
C. 并联
D. 串联
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
【单选题】
48分析运放的“虚断”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. I-≈I+
D. U-≈U+≈0